炬光科技为客户提供半导体激光器的制造服务。在此服务模式下,最终产品及相关知识产权均由客户持有,我们专注于高质量、可规模化的生产交付。依托全球化的生产布局,以及在光学、热管理、表面材料、应用解决方案和自动化运营方面的自有技术能力,我们既能为大批量市场,又能为高附加值市场提供可靠且极具成本效益的制造服务。

技术指标
我们提供多种高功率半导体激光器结构和封装形式的制造服务,包括:
单管半导体激光器
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技术指标 |
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典型输出功率 |
10W 808nm CW 5W 1470nm CW |
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可提供波长 |
660/808/915/940/976/1470 nm |
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快轴准直 |
1:1 或 1:2 可选, 可定制 |
单巴半导体激光器
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技术指标 |
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典型输出功率 |
60W 808nm CW 80W 1060nm CW 30W 1470nm CW |
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Smile |
< 2 µm (典型值); < 1 µm (新品LCS系列) |
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冷却方式 |
微通道水冷或传导冷却 |
微通道冷却叠阵
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技术指标 |
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输出功率 |
100W/bar 808nm (CW) |
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Smile |
< 2 µm (典型值) |
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叠阵巴条数 |
单个叠阵最高 60 巴 |
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光斑快轴准直 |
可选 |
传导冷却叠阵
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技术指标 |
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输出功率 |
200-500W/bar QCW 808/940nm |
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占空比 |
< 1% (典型值) |
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工作温度 |
-45 ~ 60 °C |
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光斑快轴准直 |
可选 |
泵浦模块
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技术指标 |
典型配置1 |
典型配置2 |
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泵浦峰值功率 |
30 kW QCW |
5 kW QCW |
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晶体直径 |
10 mm |
4 mm |
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巴条数 |
150 |
25 |
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小信号增益 (SSG) |
> 55 |
> 30 |
单管/多单管光纤耦合半导体激光器
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技术指标 |
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输出功率 |
可达 30W 808/976/1064 nm |
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光纤芯径 |
105/200 µm |
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数值孔径(NA) |
0.15/0.22 |
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可选附加功能 |
光纤插拔探测、功率探测、红光 |
巴条光纤耦合半导体激光器
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技术指标 |
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输出功率 |
可达 500W 808/940/976 nm |
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光纤芯径 |
100/200/400 µm |
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数值孔径(NA) |
0.22 |
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可选附加功能 |
光纤插拔探测、热敏电阻、功率探测、红光、防反、VBG锁波 |

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