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GS20

采用无铟化及预制金锡薄膜的共晶键合技术,寿命可达 10^9 脉冲数

实现从芯片封装到激光器的精准波长控制,波长控制范围可达±2nm

8%高占空比条件下,单巴峰值功率为400W;在1%低占空比条件下,单巴峰值功率可达到500W

紧凑型结构设计:5bar基础模块(含上下电极)体积为16.45cm³,重量轻至68g

以5bar模块为基础设计单元,通过增加模块易于实现功率扩展

工业用水即可满足产品冷却水的水质要求,无需去离子水

 GS20

技术指标

FL-GS20-15X1-6000-808(Q) * (Typical Customization) 6000 W 808 nm QCW 0.4 ms 8%
FL-GS20-10X1-4000-808(Q) * (Typical Customization) 4000 W 808 nm QCW 0.4 ms 8%
FL-GS20-5X1-2000-808(Q) * (Typical Customization) 2000 W 808 nm QCW 0.4 ms 8%
* 典型定制方案。定制产品可能交期较长。
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应用领域

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